靶材主要應用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導體等領(lǐng)域。貴重金屬的深加工技術(shù)朝高純化、精細化、的方向發(fā)展。由于鉭的表面能形成致密穩定、介電強度高的無(wú)定形氧化膜，易于準確方便地控制電容器的陽(yáng)極氧化工藝，面積，高低溫特性好、使用壽命長(cháng)、綜合性能優(yōu)、其他電容器難以與之媲美，國外對高純金屬材料的開(kāi)發(fā)研究較早，英國和俄羅斯等國家意志以來(lái)都十分重視高純金屬材料的研制、生產(chǎn)和應用。其生產(chǎn)的高純金屬材料品種齊全、質(zhì)量好、產(chǎn)量大，產(chǎn)品純度高可達6N以上。貴重金屬因其優(yōu)良的理化性能和高可靠性，成為保證半導體器件性能和發(fā)展半導體技術(shù)必不可少及不可替代的材料。此外，玫瑰金靶材、1N14靶材、2N18靶材等金銅合金靶材。在裝飾鍍膜中也有著(zhù)廣泛的應用。 金屬硅化物具有優(yōu)異的高溫舒緩反應性以及良好的導電、導熱性，已廣泛應用于半導體制造中作為優(yōu)良的接觸材料。隨著(zhù)金屬硅化物的不斷發(fā)展，主導的硅化物已從鈦、鈷硅化物逐步發(fā)展到低電阻、低耗硅量以及低形成溫度的鎳硅化物。鎳鉑硅化物薄膜在半導體制造中的應用，廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、驅動(dòng)器等電路中。隨著(zhù)肖特基二極管工藝不斷發(fā)展，金屬硅化物-硅接觸已取代了傳統的金屬-硅接觸，避免了表面缺陷與沾污，降低了表面態(tài)的影響，提高了器件的正向特性、反向耐壓、反向能量沖擊、耐高溫、抗靜電、抗燒毀能力。