東京大學(xué)開(kāi)發(fā)在玻璃基板上濺射層積LED的技術(shù)
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【中玻網(wǎng)】東京大學(xué)生產(chǎn)技術(shù)研究所教授藤岡洋的研究室開(kāi)發(fā)出了在玻璃基板上用濺射法形成GaN基LED的技術(shù)。相關(guān)論文已發(fā)表在學(xué)術(shù)雜志?！禨cientificReports》上。除了與現有LED相比可大幅降低制造成本之外，新技術(shù)還有可能實(shí)現用無(wú)機LED制作農業(yè)生產(chǎn)體系EL那樣的大面積發(fā)光元件。
藤岡教授的研究室在約2英寸（直徑約5cm）的玻璃基板上轉印了石墨烯多層膜，然后在石墨烯多層膜上用脈沖濺射法分別形成了AlN、n型GaN、由GaN與InGaN的多層構造構成的量子阱、p型GaN晶體。
藤岡表示，很早以前就開(kāi)始開(kāi)發(fā)利用濺射法制作LED的技術(shù)，“還沒(méi)有發(fā)布過(guò)這些技術(shù)的詳細內容，只是在累積經(jīng)驗”。
另外，藤岡研究室還在2008年開(kāi)發(fā)出了在石墨片材上用“脈沖激勵沉積法（PXD）”形成GaN晶體的技術(shù)。
此次在可稱(chēng)得上是較好薄石墨片材的石墨烯片材上用濺射法形成了GaN晶體，并確認可實(shí)際發(fā)光。據介紹，分別制作了以紅色（R）、綠色（G）、藍色（B）三原色發(fā)光的LED。
目前還無(wú)法檢驗白色發(fā)光的發(fā)光效率，以及單色狀態(tài)下的外部量子效率，正在對較低溫條件下的內部量子效率進(jìn)行評估。藤岡教授表示，“與藍寶石基板上制作的LED相比，內部量子效率要低好幾成”。今后的課題是如何將內部量子效率提高至與現有LED相當的水平。
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